중국에 삼성전자 기술 유출

삼성전자와 SK하이닉스 임원을 거치며 핵심 기술에 관여했던 반도체 분야 전문가가 기술을 빼돌려 중국에 삼성 반도체 공장을 통째로 복제하려는 시도를 했다가 적발됐습니다. 이번 범행으로만 최대 수조 원의 피해가 발생한 것으로 추산됐습니다.

 

삼성전자 기술 유출

수원지방검찰청 방위사업·산업기술 범죄수사부(부장검사 박진성)는 12일 삼성전자와 SK하이닉스 임원 등을 지낸 A씨를 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속 기소했다고 발표했습니다. A씨와 함께 삼성전자 협력회사인 B사를 통해 반도체공장 설계 자료를 빼낸 공범 6명도 불구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다. 

 

A씨는 삼성전자에서 18년, SK하이닉스에서 10년 동안 임원으로 재직한 반도체 분야 전문가로, 2015년 중국 청두시로부터 자본 약 4600억원을 끌어와 중국에 회사를 세우고, 대만의 한 전자제품업체로부터 8조원대 투자를 약정받아 싱가포르에 반도체업체 C사를 따로 설립했습니다. 이후 삼성전자와 SK하이닉스 출신 반도체 인력 200여 명을 C사로 영입했습니다. 

 

그 후 A씨는 2018년 중국 시안의 삼성전자 반도체공장에서 불과 1.5km 떨어진 지역에 복제공장을 짓는 작업을 시작했습니다. 삼성전자 반도체공장의 설계도면, 클린룸 조성 조건(BED·베이직 엔지니어링 데이터) 등을 몰래 획득해 생산기지 건설에 무단으로 활용했습니다. 

 

다행히 이 계획은 A씨에게 약정한 대만 전자제품 생산업체의 8조원대 투자가 불발되면서 수포로 돌아갔습니다. 하지만 삼성전자 기술이 공장 건설에 직접적으로 사용되지 않았을 뿐, 해당 기술은 이미 A씨가 세운 회사로 넘어간 상태입니다.

 

A씨가 중국 청두시에서 전체 지분의 60%에 달하는 4600억원을 투자받아 만든 반도체 제조 공장은 지난해 연구개발(R&D)동을 완공해 삼성전자 반도체 기술이 적용된 반도체 시제품을 생산한 것으로 알려졌습니다. 

 

검찰은 이 자료의 가치가 최소 3000억원, 최대 수조원에 달할 것으로 추정했습니다. 특히 공정배치도와 BED는 30㎚(나노미터) 이하 D램과 낸드플래시 제조 기술로 국가 핵심기술에 해당합니다.

 

 

기술 유출 형량

업계에서는 초대형 기술 유출이 가능한 데는 솜방망이 형사 처벌도 일조하고 있다는 지적이 나왔습니다. 현재 양형기준은 해외로 기술을 빼돌린 범죄의 형량을 기본 징역 1년~3년6개월, 가중 처벌하면 최장 징역 6년으로 규정합니다. 국가 핵심기술을 해외로 유출했을 때 3년 이상 징역을 받는다는 산업기술보호법보다 양형기준이 낮은 셈입니다.

 

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'솜방망이 처벌'에 더 대담해지는 기술 유출

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